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我省长江存储3D NAND芯片研发成功

来源:湖北省发改委官网             发布时间:2018-03-05

        投资240亿美元的国家存储器基地建设项目取得突破性进展,继9月底一期生产厂房及动力厂房封顶后,长江存储于近日成功研发32层3D NAND Flash芯片,打破国外半导体厂三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据等的技术垄断。

  3D NAND是革新性的半导体存储技术,通过增加存储叠层而非缩小器件二维尺寸实现存储密度增长,从而拓宽了存储技术的发展空间。现在国际主流产品已经发展到64层,未来有可能到96层、128层,存储容量大幅提升。

  长江存储将原计划年底展示32层3D NAND样本时间提前2个月,提高全体研发团队夜以继日的联合攻关,该芯片样本提前研制成功,且第一版就通过终端实测,芯片研发获得重大突破。由此长江存储已预定5000片产能的机台设备,将在2018年进行中小规模的试产和量产,力争在2019年进行大规模的生产,填补中国在存储产业领域的空白。

  长江存储正在同时加紧研发64层3D NAND产品,2019年有望量产。64层3D NAND技术是三星、东芝、美光、SK海力士等NAND Flash技术垄断企业主流技术,若我国成功发展64层3D NAND技术,且全面大量投产,将有机会与三星、东芝、SK海力士等拉近差距,同时也标志着中国在NAND Flash芯片制造上能够达到国际水平。

  长江存储3D NAND芯片的成功研发,通过跳跃式的发展,有望在2019年实现与世界前端差半代技术,2020年追赶上领先技术,与世界存储器主流芯片并跑。

        原文链接:http://fgw.hubei.gov.cn/ywcs2016/gjsc/tztggjsc/wjgjsc/201802/t20180228_135058.shtml

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